使用HAL的STM32快閃記憶體寫入指南

如果您選擇使用具有硬體抽象層 (HAL) 的 STM32 閃存，本指南將提供簡單的微控制器程式設計所需的基本步驟。按照下面概述的範例設定硬體抽象層 (HAL)是非常容易管理的。

如何使用HAL寫入STM32快閃記憶體？

1. 準備好快閃記憶體進行寫入

1. 合併必要的頭檔：使用#include "stm32f4xx_hal.h".
2. 解鎖快閃記憶體：您必須在寫入之前解鎖閃存，方法是執行：HAL_FLASH_Unlock();。
3. 擦除快閃記憶體：要寫入數據，請擦除要使用的特定閃存扇區。這是透過HAL_FLASHEx_Erase函數完成的：
   • FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct; uint32_t SectorError; EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS; EraseInitStruct.Sector = FLASH_SECTOR_2; // Define the sector for erasure EraseInitStruct.NbSectors = 1; EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SectorError)! = HAL_OK) { // Error handling }

2. 向快閃記憶體寫入資料

1. 利用HAL_FLASH_Program函數將資料輸入到快閃記憶體中。資料可以以多種形式寫入：位元組、半字、字或雙字。
   • uint32_t Address = 0x08008000; // Initial address in flash memory uint32_t Data = 0x12345678; // Information to be saved if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data)! = HAL_OK) { // Handle the error }
2. 重新鎖定快閃記憶體：完成資料寫入後，必須再次鎖定快閃記憶體以避免任何意外覆蓋：HAL_FLASH_Lock();。

帶有 HAL 的 STM32 快閃記憶體範例程式碼

以下是合併所有過程的綜合範例：


#include "stm32f4xx_hal.h"

void Write_Flash(uint32_t Address, uint32_t Data) {
// 解鎖快閃
HAL_FLASH_Unlock();

// 擦除Flash磁區
FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
uint32_t 磁區錯誤；

EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
EraseInitStruct.Sector = FLASH_SECTOR_2;
EraseInitStruct.NbSectors = 1;
EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;

if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SectorError)!= HAL_OK) {
// 處理錯誤
}

// 對 Flash 記憶體進行程式設計
if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data)!= HAL_OK) {
// 處理錯誤
}

// 鎖定快​​閃記憶體
HAL_FLASH_Lock();
}

int main(void) {
HAL_Init();
Write_Flash(0x08008000, 0x12345678);
while (1) {
// 主循環
}
}

該插圖完整演示瞭如何解鎖、擦除、寫入以及隨後鎖定具有 HAL 功能的 STM32 微控制器的快閃記憶體。我們相信本指南對您的 STM32 快閃記憶體程式設計有所幫助。

如果您遇到任何挑戰，請參閱我們有關解決 HAL INITIALIZATION FAILED 錯誤的教學。

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