什麼是 RAM 時序，為什麼它很重要？

RAM是電腦的核心元件，但我們對它的討論還不夠。如果沒有精美的散熱器設計和 RGB 照明，RAM 很少能在陽光下工作。CPU 和 GPU 大致設定了建置的其餘部分運作的條件，但您可以使用更快的 RAM 來提高 PC 的速度。雖然 RAM 時脈速度至關重要，但 RAM 時序也決定了 RAM 的速度。

尋找 RAM 的時脈速度

RAM 的速度可以在盒子或模組上找到。您也可以使用 CPU-Z 等軟體或在 BIOS/UEFI 中檢查 RAM 規格。RAM 模組的全名類似於以下內容：

「DDR4」描述了模組相容的 DDR（雙倍資料速率）世代。相同的數字（3、4或5）出現在「PC」編號中，描述相同的事物。

第一個四位數字（在我們的範例中為 3200）通常表示 RAM 的時脈速度（以兆赫為單位）。這其實有點行銷謊言，但不要感到難過：這種誤解是 PC OEM 和零售商直接鼓勵的。該數字實際上報告了“數據速率”，以每秒兆傳輸數或每秒^{10 6 個}數據傳輸操作為單位。

在 DDR RAM 中，實際時脈速度是額定速度的一半：在我們的範例中為 600 MT/s，儘管該速度是透過乘法預取位元從 400 MHz 的內部 RAM 時脈速度提高的。然而，由於 DDR 在每個時脈週期傳輸資料兩次，因此「有效」時脈速度據說是實際時脈速度的兩倍。因此，真實資料速率實際上與 RAM 的額定時脈速度（以 MT/s 為單位）相同。

PC 編號（在我們的範例中為 25600）顯示了以兆位元組每秒 (MB/s) 為單位測量的傳輸速率。透過將資料速率（以 MT/s 為單位）乘以 I/O 總線的寬度（所有現代主機板中的 64 位元），我們可以確定最大可能的傳輸速率：

每秒 3200 兆傳輸 x 每次傳輸 64 位元/每位元組 8 位元 = 25600 MB/s

每個數字獨立地告訴您 RAM 時脈速度，但這兩個數字提供相同的信息，只是形式不同。

什麼是 RAM 時序？

計時是測量 RAM 速度或延遲的另一種方法。這些時序測量 RAM 模組上各種常見操作之間的延遲。延遲只是操作之間的延遲。它可以被認為是“等待時間”。最小時序由規格設定，因此您可以閱讀每個 DDR4 規範的最快可能 RAM 時序表。

我們以時脈週期來測量 RAM 時序。零售商將時間列為由破折號分隔的四個數字，例如 16-18-18-38。數字越小速度越快。數字的順序告訴您它們的含義。

第一個數字：CAS 延遲 (CL)

記憶體響應CPU所需的時間就是CAS延遲（CL）。但不能孤立地考慮 CL。此公式將 CAS 延遲轉換為奈秒，該延遲基於 RAM 的傳輸速率：

因此，如果 CL 等級較小，則 MT/s 等級較慢的 RAM 實際上可以具有較低的延遲。對於 DDR4 模組，16 的 CAS 延遲是可用的最快延遲之一。同樣，對於 DDR5 RAM，CL30 目前是 RAM 延遲的最佳選擇。

第二個數字：T _RCD

RAM 模組使用基於網格的設計進行尋址。行號和列號的交集表示特定的記憶體位址。行位址到列位址延遲 (TRCD ₎測量在記憶體中輸入新行和開始存取其中的列之間的最小延遲。您可以將其視為 RAM“到達”地址所需的時間。從先前不活動的行接收第一位所需的時間是 T _RCD + CL。

第三個數字：T _RP

行預充電時間 (T _RP ) 測量在記憶體中開啟新行所涉及的延遲。從技術上講，它測量空閒（或關閉）一行的預充電命令與打開另一行的啟動命令之間的延遲。它通常與第二個數字相同。影響這兩個操作的延遲的因素相同。

第四個數字：T _RAS

行活動時間 (T _RAS ) 測量行必須保持開啟狀態才能正確寫入資料的最小週期數。從技術上講，它測量行上的啟動命令和同一行上的預充電命令之間的延遲，或開啟和關閉該行之間的最短時間。對於SDRAM模組，T _RCD + CL 計算T _RAS。

你的記憶體有多快？

這些延遲確實限制了 RAM 的速度。但限制是 RAM 規格，而不是物理因素。管理 RAM 的記憶體控制器會強制執行這些計時，這意味著它們是可調整的（如果主機板允許的話）。您可以透過超頻 RAM並將時序收緊幾個週期來獲得額外的效能。

RAM 超頻是硬體超頻技術中最不穩定的，需要最多的實驗和失敗。但更快的 RAM 可以縮短受 RAM 限制的工作負載的處理時間，從而提高渲染速度和虛擬機器回應能力。

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